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    功率半导体封装与可靠性安徽省重点实验室2024年开放研究课题申请指南

    时间:2024-04-23 09:30  作者:  来源:  阅读量:

    功率半导体封装与可靠性安徽省重点实验室依托于合肥工业大学,主要围绕安徽省新能源产业应用的功率半导体器件的重大科技问题,开展创新性基础研究和应用基础研究,为实现国家双碳目标和安徽省新能源产业发展提供坚实的基础理论和技术支撑。

    为充分发挥安徽省重点实验室科研平台的作用,促进科研合作和学术交流,实验室根据“开放、联合、流动、竞争”的运行机制设立开放课题。课题申请人须选定本室研究人员为联系人进行联合研究,以促进相关学科的相互交叉和集成。热忱欢迎和邀请相关领域的国内外科研人员来实验室进行合作研究,共同推动安徽省新能源产业所需功率半导体封装与可靠性方面科学与技术的发展。现发布功率半导体封装与可靠性安徽省重点实验室2024年开放研究课题申请指南如下:

    一、选题范围

    1. 先进封装材料与结构

    针对传统封装材料限制宽禁带器件本征高温性能,传统封装结构寄生参数高,难以发挥宽禁带器件高速开关特性的重大科技问题:1)研究适用于宽禁带器件的高温封装与互联材料,提升封装最高工作温度,充分发挥宽禁带器件的高温性能;2)研究高效散热三维封装结构,解决宽禁带器件芯片尺寸小引起的强热流密度问题,提升宽禁带器件封装散热效率;3)研究器件动静态特性与电磁参数交互影响规律,探索低寄生参数封装理论,充分发挥宽禁带器件高速开关特性。

    2. 可靠性提升方法与理论

    针对先进封装材料体系与结构中多材料界面间失效机理发生根本变化,老化表征参数缺失,难以评估器件失效机理,缺乏可靠性提升理论的重大科技问题:1)构建宽禁带器件封装多材料界面应力变化数学模型,揭示多材料界面间应力应变的协调机理;2)探究器件封装加速老化测试与表征方法,研究参数退化机理,为失效机理分析和可靠性评估奠定理论基础;3)研究宽禁带器件的复杂工况失效机理,发展器件失效定位技术,提出失效表征方法和可靠性提升理论。

    3. 高功率密度系统集成

    针对高密度系统集成增加元器件电磁噪声干扰,强热流密度加剧系统散热问题,降低系统运行可靠性的重大科技问题:1)研究宽禁带器件高开关速度下系统电磁兼容特性,提出先进智能门极驱动,全面提升功率器件应用可靠性;2)研究多物理场状态在线检测方法,提出主动热管理等健康状态调控方法,改善变流器系统长期可靠性;3)研究新型高频电力电子拓扑架构、先进调制及控制策略、高功率密度系统集成与电磁热力协同优化方法。

    主要支持上述选题范围的研究。对于不直接属于这些范围,但具有重要科学意义、有创意的课题及其他有关的新思想、新原理、新方法和新技术,也将择优支持。

    二、申请人资格

    申请人应有固定的工作单位,原则上为非本实验室固定人员,年龄不超过40周岁,本实验室研究领域内安徽省行业骨干企业的申请优先资助。项目的第二申请人须为本实验室固定人员,校内申请人员不能有在研或申报当年中央科研基本业务费的其他项目。

    三、申请提交要求

    申请者按规定的格式要求填写功率半导体封装与可靠性安徽省重点实验室开放课题申请书,经所在单位签署意见并加盖单位公章后,在规定的时间之内将纸质版申请书、任务书(一式两份)寄给指定收件人;同时将项目申请书、任务书(word版以及盖章扫描版)和项目清单电子档以“功率半导体封装与可靠性-2024年重点实验室自主创新专项”命名通过Email发给联系人。

    实验室将对申请书进行形式审查;本着公平竞争、择优支持的原则对通过形式审查的申请项目进行评审。

    四、支持强度、申请截止日期、考核重点

    开放课题的研究年限为2年,每项课题的资助强度最低限额5万元,第一年度拨付60%,剩余40%在下一年度项目通过中期检查后拨付,项目执行期为2年,拟定资助项目不少于3项。

    申请截止日期:2024430日。

    开放课题考核注重申请人与本室合作人员学术交流,如到实验室作学术报告、联合发表高水平论文、联合申请相关项目等。

    五、联系人

    陆晓珂 联系电话:15375350865  

    E-mail xiaoke.lu@hfut.edu.cn

    六、邮寄指定收件人

    收件人:陆晓珂   15375350865

    邮寄地址:安徽省合肥市屯溪路193号合肥工业大学

    为方便收件,如邮寄申请书的,请统一选择顺丰速运。

    七、功率半导体封装与可靠性安徽省重点实验室开放课题申报申请书和任务书见附件。